Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Nowy procesor nadzieją na sieci neuronowe w smartfonach
16 lutego 2018, 06:10Eksperci z MIT stworzyli nowatorki neuronowy układ scalony, który jest nawet 7-krotnie szybszy od innych tego typu kości, a jednocześnie zużywa nawet 95% mniej energii. To zaś oznacza, że tego typu chip można stosować w urządzeniach zasilanych bateriami, niewykluczone więc, że wkrótce do smartfonów trafią sieci neuronowe.
Proteza pamięci może pomóc ludziom z urazami mózgu i chorobami neurodegeneracyjnymi
7 września 2022, 11:06Unikatowa metoda stymulacji mózgu naśladująca sposób, w jaki tworzymy wspomnienia, wydaje się poprawiać zdolność ludzi do zapamiętywania nowych informacji. Pierwsze eksperymenty sugerują, że ta prototypowa „proteza pamięci” nie tylko pomaga ludziom cierpiącym na zaburzenia negatywnie wpływające na zdolność do zapamiętywania, ale działa u nich bardziej efektywnie, niż u zdrowych
Powstały kwantowe wzmacniacze sygnału – ważny krok ku kwantowemu internetowi
11 czerwca 2021, 16:10Dwa niezależne zespoły badawcze stworzyły kwantowe wzmacniacze zdolne do przechowywania multipleksowanych sygnałów, przekazywania splątanych cząstek i pracy na częstotliwościach używanych w telekomunikacji. To bardzo ważny krok w rozwoju skalowalnego kwantowego internetu.
Więcej pamięci w serwerach
26 lutego 2008, 12:03Firma Metaram przygotowała technologię, która pozwala w łatwy sposób dwu- a nawet czterokrotnie zwiększyć ilość pamięci RAM dostępną dla serwera. Pierwszymi klientami Metaram zostały Hynix i SmartModular.
Zbudują fabrykę memrystorów
1 września 2010, 16:04HP poinformowało o podpisaniu porozumienia z koreańską firmą Hynix Semiconductor, które przewiduje budowę fabryki memrystorów. Zakład ma rozpocząć produkcję w 2013 roku.
Źródło dużych grup fotonów – pierwszy fotonowy "scalak"
9 lutego 2017, 11:15Holograficzna pamięć atomowa, wymyślona i skonstruowana przez fizyków z Wydziału Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego, jest pierwszym urządzeniem zdolnym na żądanie generować pojedyncze fotony w grupach liczących po kilkadziesiąt i więcej sztuk.
FeDRAM - nowy pomysł na pamięci
13 sierpnia 2009, 11:47Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash. Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.
Nowa koncepcja pracy pamięci cache
10 września 2015, 14:50Podczas International Conference on Parallel Architectures and Compilation Techniques naukowcy z MIT-u zaprezentowali pierwszą od 30 lat nową koncepcję utrzymania spójności pamięci cache w układach elektronicznych
Prosta grafenowa pamięć
2 kwietnia 2009, 10:48Na Narodowym Uniwersytecie Singapuru powstały grafenowe układy pamięci. Wykonano je w dość prosty sposób, co przybliża nas do dnia rynkowego debiutu tego typu urządzeń.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 …
